適用領域

結構分析、材料表征、芯片修補、生物檢測、三維重構、材料轉移等，該系統可適用于橫截面和斷層掃描，3D分析，TEM樣品制備及納米圖形加工。

樣品要求

1)    無揮發性，固體、塊體長寬最好小于20mm，高度小于4mm。 2)    樣品要求導電性良好，如果導電性比較差的話需要進行噴金或噴碳處理。 3)    透射樣品制備只保證切出的樣品厚度可以拍透射。 4)    fib+TEM、剖面分析，可選擇按時間云視頻拍攝，實時觀看。（推薦） 5)    定位會采用視頻或者發照片的形式進行確定。

收費標準>

1)    普通材料FIB-TEM制樣                    3000元/樣 2)    超硬材料FIB-TEM制樣                    4000元/樣 3)    FIB剖面加工                   1300元/小時 4)    TEM云視頻                    1000元/小時 5)    SEM云視頻                    600元/小時 6)    氬離子拋光/離子研磨（CP制樣）   700元/樣 7)    Rofin激光開封                   300元/樣

分析儀器

儀器名稱：聚焦離子束掃描電子顯微鏡 儀器型號：Helios Nanolab 600i/Helios NanoLab 460HP/ FEItecnai F20透射電子顯微鏡/ FEI Verios460掃描電子顯微鏡/Hitachi4000離子研磨儀 儀器廠家：美國FEI公司/日本日立 FIB-SEM雙束電鏡是具有聚焦離子(FIB)束和掃描電子顯微鏡（SEM)功能、可以同時實現SEM高分辨率表征和離子束精細加工的設備，主要用于掃描電鏡高分辨表征、機械手轉移樣品、氣體沉積、離子束精細加工及透射樣品制備。

儀器技術參數

1.    Ga離子束系統：         （1）交叉點分辨率：≤ 4.5 nm @30 kV         （2）加速電壓： 500 V-30 kV         （3）離子束流：1 pA 至65 nA         （4）束流密度：最大值可達60 A/cm2 2.    SEM系統：         （1）分辨率：≤ 0.9 nm @ 15 kV；≤ 1.4 nm @ 1 kV         （2）束交叉點分辨率：≤ 1.0 nm @ 15 kV；≤ 2.5 nm @ 1 kV         （3）加速電壓：350 V－30 kV         （4）電子束流：最大22 nA 3.    樣品臺：         （1）X、Y 方向最大行程：不低于150 mm，精度優于1.0 μm         （2）Z方向最大行程：10 mm         （3）水平旋轉角范圍：360o         （4）傾角范圍：‐10o至+60o; 水平漂移小于10 nm/min         （5）最大樣品高度：55 mm